规格书 |
MJD47, 50 |
文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 75 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1V @ 200mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 200µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 30 @ 300mA, 10V |
功率 - 最大 | 1.56W |
频率转换 | 10MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3DPAK |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 250 V |
集电极最大直流电流 | 1 A |
最小直流电流增益 | 30@300mA@10V|10@1A@10V |
最大工作频率 | 10(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.2A@1A V |
最大集电极基极电压 | 350 V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1560 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Rail / Tube |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
配置 | Single |
晶体管极性 | NPN |
集电极 - 基极电压VCBO | 350 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 250 V |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
集电极 - 发射极饱和电压 | 250 V |
增益带宽产品fT | 10 MHz |
直流集电极/增益hfe最小值 | 30 at 0.3 A at 10 V |
最高工作温度 | + 150 C |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | TO-252-3 (DPAK) |
连续集电极电流 | 1 A |
最低工作温度 | - 65 C |
封装 | Tube |
工厂包装数量 | 75 |
集电极最大直流电流 | 1 |
Maximum Transition Frequency | 10(Min) |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 1560 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 350 |
最低工作温度 | -65 |
供应商封装形式 | DPAK |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 6.73(Max) |
最大集电极发射极电压 | 250 |
包装高度 | 2.38(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 1A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 10MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 200mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | 200µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 250V |
供应商设备封装 | DPAK-3 |
功率 - 最大 | 1.56W |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 30 @ 300mA, 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :250V |
Transition Frequency ft | :10MHz |
功耗 | :1.56W |
DC Collector Current | :1A |
DC Current Gain hFE | :10 |
No. of Pins | :4 |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85412100 |
associated | 80-4-5 |
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